买卖IC网 >> 产品目录 >> 2SA1930(Q,M) 两极晶体管 - BJT PNP 180V 2A Transistor datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

2SA1930(Q,M)

库存数量：13305
制造商：Toshiba
描述：两极晶体管 - BJT PNP 180V 2A Transistor
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 两极晶体管 - BJT
描述 两极晶体管 - BJT PNP 180V 2A Transistor
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制造商 Toshiba
配置
晶体管极性 PNP
集电极—基极电压 VCBO
集电极—发射极最大电压 VCEO - 180 V
发射极 - 基极电压 VEBO - 5 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT 200 MHz
直流集电极/Base Gain hfe Min 50
最大工作温度 + 150 C
安装风格 Through Hole
封装 / 箱体 TO-220 NIS
相关资料
属性
链接
代理商 2SA1930(Q,M)
2SA1930(QM)
2SA1930/2SC5171
2SA1931(Q)
2SA1937
2SA1938-R
供应商
公司名
电话
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司 0755-23603360 杨先生
上海鑫科润电子科技有限公司 18521007236 鑫科润
深圳市信通吉电子有限公司 17841084408 冯
深圳市一线半导体有限公司 0755-83789203 谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
深圳市逸睿信息科技有限公司 0755-82899329 微信同号18902486285
深圳国芯威科技有限公司 0755-29676185 杨小小
深圳市贸盛微电子有限公司 0755-82208752 周先生
北京耐芯威科技有限公司 010-62962871 刘先生
  • 2SA1930(Q,M) 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 0.786 0.786
    10 0.638 6.38
    100 0.548 54.8
    250 0.478 119.5
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